[강인만 교수님 연구실] 2026학년도 2학기 학부연구생 모집

NDSL은 삼성전자, SK하이닉스, 인텔 등 주요 반도체 기업에서 주목하고 있는 차세대 반도체 소자 및 나노전자소자를 중심으로 시뮬레이션과 제작을 통한 연구를 수행하고 있습니다. 차세대 CMOS 및 메모리 소자를 비롯하여 저전력·고성능 반도체 소자, AI 기반 반도체 소자 모델링, RF 모델링 등 다양한 분야의 연구를 활발하게 진행하고 있습니다.

현재 「인공지능 반도체 회로 설계를 위한 3 nm급 GAA Nanosheet FET의 특성 예측을 위한 딥러닝 모델링 플랫폼 개발」 과제를 수행하고 있으며, TCAD 시뮬레이션과 인공지능을 활용한 반도체 소자 특성 예측 및 모델링 연구를 진행하고 있습니다.

다음의 연구 분야에 관해 관심을 가지고 있는 학생들의 많은 관심과 지원 바랍니다.

(연구실 연락처 및 홈페이지 정보는 하단 참조)

[ NDSL 연구주제 ]

- GAA Nanosheet FET 및 차세대 CMOS 소자 연구

- Capacitorless 1T-DRAM 연구 및 개발

- AI 기반 반도체 소자 특성 예측 및 모델링

- CFET 및 차세대 3차원 반도체 소자 연구

- 저전력 반도체 소자 및 Tunneling FET 연구

- GaN 및 III-V 화합물 기반 고성능 반도체 소자 연구

- 2D & 3D 소자 시뮬레이션 및 반도체 소자의 RF 모델링

[ 학부 연구생 지원항목 ]

- 연구실 내 대학원생과 동일한 자리/개인PC/시뮬레이션용 Work Station 제공

- SCI(E) 논문 게재료 및 교정 지원 및 국제 학회 참석 경비 전액 지원

[ 학부 연구생 지원 조건 및 자격 ]

- 반도체 소자 및 회로에 “관심”과 “열정”만 있으면 누구나 지원 가능.

- 성적은 무관하며, 연구에 많은 관심이 있는 학생

- 대학원생과 동일한 전일제 연구생 가능자 (단, 시험/수업 시간은 예외)

- 대학원 연구실의 구성원으로서 책임감과 유대감을 가지고 연구에 참여할 수 있는 학생

- 본 연구실 석사과정 진학 희망자 우대

[ 진행 및 종료 과제 ]

(a) 진행 중

-“인공지능 반도체 회로 설계를 위한 3 nm급 GAA Nanosheet FET의 특성 예측을 위한 딥러닝 모델링 플랫폼 개발”, 2026년 3월 1일 ~ 2030년 2월 28일, 한국연구재단(과학기술정보통신부)

(b) 종료

- “미래 모빌리티 산업시대 초연결 지능형 자동차 구현을 위한 동종성장 무결함 GaN-on-GaN 에피 성장 기술 및 초고전력/초고속 전자소자 기술개발”, 2020년 3월 1일 ~ 2025년 2월 28일, 한국연구재단(과학기술정보통신부)

- “Nanowire 소자의 전기적 특성 및 소자 활용방안”, 2020년 11월 1일 ~ 2024년 12월 31일 (38개월), 삼성전자(산업체)

- “웨어러블 스파이킹 뉴럴 네트워크 시스템 구현을 위한 유기물 기반 고집적 인공 시냅스 어레이 개발”, 2021년 3월 1일 ~ 2024년 1월 31일 (35개월), 한국연구재단(과학기술정보통신부)

- “2T DRAM 기반 저전력/고성능 PIM 셀, 집적회로 및 아키텍처 개발”, 2022년 4월 1일~2024년 12월 31일 (33개월), 한국연구재단(과학기술정보통신부)

[ 연락처 및 홈페이지 ]

- 연락처 : 053-950-5513 (교수 연구실), 053-940-8613 (대학원 연구실)

- E-mail 주소 : imkang@ee.knu.ac.kr

- 연구실 위치 : IT-3호관 202호

- 홈페이지 : https://sites.google.com/view/knundsl304/home

- 지원 희망 학생 및 관심 또는 문의사항이 있는 학생 은 위의 연락처나 메일로, 주저 말고 언제든지 연락바랍니다.