| 제 목 | 경북대 전자공학부 김대현 교수 연구팀, 세계 최고 반도체 학회 IEDM 2026 논문 2편 채택 | ||||
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| 작성자 | 관리자 | 작성일 | 2026-09-07 | 조회수 | 110 |
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  경북대학교 전자공학부 김대현 교수 연구팀(FSDL)의 연구논문 2편이 세계 최고 권위의 반도체 학회인 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2026에 동시 채택되었다. (제 1 저자: 박사과정 손승우, 박사과정 최수민) 이번에 채택된 연구는 차세대 THz 및 6G 반도체 소자 기술을 대상으로 하며, 각각 초고속 InP HEMT 기술과 초저잡음 RF GaN HEMT 기술에 관한 연구이다. 첫 번째 연구에서는 aggressively scaled InP HEMT를 통해 세계 최고 수준의 fT를 구현하여 차세대 THz 반도체 소자의 가능성을 제시하였습니다. 연구실의 후속 연구 로드맵에서도 이를 “Highest-fT InP HEMT” 및 THz semiconductor platform으로 정의하고 있다. 두 번째 연구에서는 45-nm InAlGaN/GaN HEMT에서 Ka-band 최소잡음지수 NFmin < 2 dB와 associated gain > 10 dB를 동시에 구현하였다. 특히 Hybrid-MBE 기반 선택적 n+ GaN 재성장 기술과 quasi-ballistic transport를 결합하여, X-~Ka-band에서 보고된 트랜지스터 가운데 세계 최저 수준의 NFmin을 제시하였다. 이번 성과를 통해 경북대학교가 차세대 양자컴퓨팅/6G이동통신/K-국방용 반도체 소자 분야에서 세계적인 연구 경쟁력을 확보하고 있음을 다시 한번 보여주었다. |
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